Številka izdelka proizvajalca:
FDB0165N807L
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDB0165N807L-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7
Podroben opis:
N-Channel 80 V 310A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Zaloga:
1970 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12848436
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDB0165N807L Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
80 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
310A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.6mOhm @ 36A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
304 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
23660 pF @ 40 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263-7
Paket / Primer
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Osnovna številka izdelka
FDB0165
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
FDB0165N807LTR
FDB0165N807L-DG
FDB0165N807LCT
FDB0165N807LDKR
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
AOB254L
MOSFET N-CH 150V 4.2A/32A TO263
FDY301NZ
MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
FDD7N25LZTM
MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
