Številka izdelka proizvajalca:
FDB12N50TM
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDB12N50TM-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 500 V 11.5A (Tc) 165W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
1 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12921893
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDB12N50TM Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
UniFET™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
650mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1315 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
165W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
FDB12N50
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
FDB12N50TMTR
FDB12N50TMCT
FDB12N50TMDKR
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IXFA12N50P
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
298
ŠTEVILKA DELA
IXFA12N50P-DG
CENA ENOTE
1.82
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IXTA12N50P
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
24
ŠTEVILKA DELA
IXTA12N50P-DG
CENA ENOTE
1.71
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
ATP114-TL-H
MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
FDS4465-F085
MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
