Številka izdelka proizvajalca:
FDB13AN06A0
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDB13AN06A0-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 60 V 10.9A (Ta), 62A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
3920 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12839248
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDB13AN06A0 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10.9A (Ta), 62A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
13.5mOhm @ 62A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1350 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
115W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
FDB13AN06
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
FDB13AN06A0-DG
FDB13AN06A0CT
FDB13AN06A0TR
FDB13AN06A0DKR
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FQPF630
MOSFET N-CH 200V 6.3A TO220F
FQD5N20LTF
MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
FDPF4D5N10C
MOSFET N-CH 100V 128A TO220F
