FDB2614
Številka izdelka proizvajalca:

FDB2614

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDB2614-DG

Opis:

MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 200 V 62A (Tc) 260W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Zaloga:

1095 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12850985
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FDB2614 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
62A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
27mOhm @ 31A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
99 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
7230 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
260W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
FDB261

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

Dodatne informacije

Druga imena
2156-FDB2614-OS
2832-FDB2614
FDB2614DKR
FDB2614TR
ONSONSFDB2614
FDB2614CT
Standardni paket
800

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
onsemi

FDU6N25

MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK

onsemi

FDPF2D3N10C

MOSFET N-CH 100V 222A TO220F

onsemi

FDD26AN06A0-F085

MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA

infineon-technologies

IPP057N08N3GHKSA1

MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3