Številka izdelka proizvajalca:
FDB2670
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDB2670-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB
Podroben opis:
N-Channel 200 V 19A (Ta) 93W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
12840090
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDB2670 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
19A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
130mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1320 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
93W (Tc)
Delovna temperatura
-65°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
FDB267
Dodatne informacije
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FQPF7N40
MOSFET N-CH 400V 4.6A TO220F
MVSF2N02ELT1G
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
NTD5865NLT4G
MOSFET N-CH 60V 46A DPAK
