Številka izdelka proizvajalca:
FDBL0260N100
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDBL0260N100-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF
Podroben opis:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 3.5W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount 8-HPSOF
Zaloga:
1980 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12848650
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDBL0260N100 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
200A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.6mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
116 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
9265 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.5W (Ta), 250W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-HPSOF
Paket / Primer
8-PowerSFN
Osnovna številka izdelka
FDBL0260
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
FDBL0260N100TR
FDBL0260N100-DG
FDBL0260N100DKR
FDBL0260N100CT
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPT020N10N3ATMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
2232
ŠTEVILKA DELA
IPT020N10N3ATMA1-DG
CENA ENOTE
4.25
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
AOL1240
MOSFET N-CH 40V 19A/69A ULTRASO8
AON6444L
MOSFET N-CH 60V 8DFN
AON7458
MOSFET N-CH 250V 1.5A/5A 8DFN
