Številka izdelka proizvajalca:

FDC638P

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDC638P-DG

Opis:

MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6

Podroben opis:

P-Channel 20 V 4.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Zaloga:

4802 Kosi Nova Originalna Na Zalogi

12837854

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

FDC638P Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

onsemi

Pakiranje

Tape & Reel (TR)

Serije

PowerTrench®

Stanje izdelka

Active

Vrsta FET

P-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

20 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

4.5A (Ta)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

2.5V, 4.5V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

48mOhm @ 4.5A, 4.5V

vgs(th) (maks) @ id

1.5V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

14 nC @ 4.5 V

Vgs (maks)

±8V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

1160 pF @ 10 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

1.6W (Ta)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

SuperSOT™-6

Paket / Primer

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Osnovna številka izdelka

FDC638

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena

FDC638PDKR

FDC638PCT

FDC638PTR

Standardni paket

3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

onsemi

FDS4070N7

MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO

onsemi

FQPF27P06

MOSFET P-CH 60V 17A TO220F

onsemi

FQB4N90TM

MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK

onsemi

HUF75309T3ST

MOSFET N-CH 55V 3A SOT223-4