Številka izdelka proizvajalca:

FDC640P

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDC640P-DG

Opis:

MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6

Podroben opis:

P-Channel 20 V 4.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Zaloga:

6642 Kosi Nova Originalna Na Zalogi

12840459

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

FDC640P Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

onsemi

Pakiranje

Tape & Reel (TR)

Serije

PowerTrench®

Stanje izdelka

Active

Vrsta FET

P-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

20 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

4.5A (Ta)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

2.5V, 4.5V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

53mOhm @ 4.5A, 4.5V

vgs(th) (maks) @ id

1.5V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

13 nC @ 4.5 V

Vgs (maks)

±12V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

890 pF @ 10 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

1.6W (Ta)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

SuperSOT™-6

Paket / Primer

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Osnovna številka izdelka

FDC640

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena

FDC640PTR

FDC640PCT

FDC640P-DG

FDC640PDKR

Standardni paket

3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

onsemi

FDMS3572

MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP

onsemi

NTMFS4C024NT3G

MOSFET N-CH 30V 21.7A/78A 5DFN

infineon-technologies

AUIRFS4310TRL

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

onsemi

ECH8308-TL-H

MOSFET P-CH 12V 10A 8ECH