Številka izdelka proizvajalca:
FDC642P
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDC642P-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Podroben opis:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Zaloga:
11728 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12847119
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
n9J7
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDC642P Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
65mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
925 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.6W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SuperSOT™-6
Paket / Primer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Osnovna številka izdelka
FDC642
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
FDC642PCT
ONSONSFDC642P
FDC642P-DG
2156-FDC642P-OS
FDC642PDKR
FDC642PTR
2832-FDC642P
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDMA7670
MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
FDV302P_D87Z
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
HUFA76432P3
MOSFET N-CH 60V 59A TO220-3
