Številka izdelka proizvajalca:

FDC796N_F077

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDC796N_F077-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 12.5A SUPERSOT6

Podroben opis:

N-Channel 30 V 12.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6 FLMP

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu

12851116

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

FDC796N_F077 Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

onsemi

Pakiranje

-

Serije

PowerTrench®

Stanje izdelka

Obsolete

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

30 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

12.5A (Ta)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

4.5V, 10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

9mOhm @ 12.5A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

3V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

20 nC @ 5 V

Vgs (maks)

±20V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

1444 pF @ 15 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

2W (Ta)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

SuperSOT™-6 FLMP

Paket / Primer

6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP

Osnovna številka izdelka

FDC796

Tehnični list in dokumenti

HTML tehnični list

FDC796N_F077-DG

Tehnični listi

Dodatne informacije

Standardni paket

3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

onsemi

FCD600N60Z

MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK

onsemi

IRLM110ATF

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223-4

infineon-technologies

IPP90R1K0C3XKSA1

MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-3

rohm-semi

R6011END3TL1

MOSFET N-CH 600V 11A TO252