FDD2670

Številka izdelka proizvajalca:

FDD2670

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDD2670-DG

Opis:

MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252

Podroben opis:

N-Channel 200 V 3.6A (Ta) 3.2W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Zaloga:

2496 Kosi Nova Originalna Na Zalogi

12847720

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

FDD2670 Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

onsemi

Pakiranje

Tape & Reel (TR)

Serije

PowerTrench®

Stanje izdelka

Active

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

200 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

3.6A (Ta)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

130mOhm @ 3.6A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

4.5V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

43 nC @ 10 V

Vgs (maks)

±20V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

1228 pF @ 100 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

3.2W (Ta), 70W (Tc)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

TO-252AA

Paket / Primer

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Osnovna številka izdelka

FDD267

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena

FDD2670TR

2156-FDD2670

FDD2670DKR

FDD2670CT

FDD2670-DG

Standardni paket

2,500

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

onsemi

FDMS86350ET80

MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56

onsemi

FDN336P-NL

MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3

onsemi

FDB075N15A_SN00284

MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK

onsemi

FDWS9510L-F085

MOSFET P-CH 40V 50A 8DFN