FDD2670
Številka izdelka proizvajalca:

FDD2670

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDD2670-DG

Opis:

MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252
Podroben opis:
N-Channel 200 V 3.6A (Ta) 3.2W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Zaloga:

2496 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12847720
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FDD2670 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3.6A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
130mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1228 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.2W (Ta), 70W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252AA
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
FDD267

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
FDD2670TR
2156-FDD2670
FDD2670DKR
FDD2670CT
FDD2670-DG
Standardni paket
2,500

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
onsemi

FDMS86350ET80

MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56

onsemi

FDN336P-NL

MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3

onsemi

FDB075N15A_SN00284

MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK

onsemi

FDWS9510L-F085

MOSFET P-CH 40V 50A 8DFN