Številka izdelka proizvajalca:
FDD86250
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDD86250-DG
Opis:
MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
Podroben opis:
N-Channel 150 V 8A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 132W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Zaloga:
1640 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12838703
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDD86250 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
150 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8A (Ta), 50A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
22mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2110 pF @ 75 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.1W (Ta), 132W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252AA
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
FDD862
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
FDD86250-DG
FDD86250CT
FDD86250TR
FDD86250DKR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPD200N15N3GATMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
51180
ŠTEVILKA DELA
IPD200N15N3GATMA1-DG
CENA ENOTE
1.19
VRSTA NADOMESTILA
Direct
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDC2512
MOSFET N-CH 150V 1.4A SUPERSOT6
HUFA75321D3ST
MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
FDS4070N3
MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
