FDD86252
Številka izdelka proizvajalca:

FDD86252

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDD86252-DG

Opis:

MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
Podroben opis:
N-Channel 150 V 5A (Ta), 27A (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Zaloga:

80199 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12838853
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FDD86252 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
150 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5A (Ta), 27A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
52mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
985 pF @ 75 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.1W (Ta), 89W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252AA
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
FDD862

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
FDD86252CT
FDD86252TR
FDD86252DKR
Standardni paket
2,500

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
onsemi

FDMS86368-F085

MOSFET N-CH 80V 80A POWER56

infineon-technologies

64-9146

MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET

onsemi

FDS6670A

MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC

onsemi

FDD3682

MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA