Številka izdelka proizvajalca:
FDD86367
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDD86367-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Podroben opis:
N-Channel 80 V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Zaloga:
40875 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12838752
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDD86367 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
80 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
100A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4840 pF @ 40 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
227W (Tj)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252 (DPAK)
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
FDD863
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
FDD86367-DG
FDD86367OSCT
FDD86367OSDKR
FDD86367OSTR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
HUFA76443S3S
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
HUF75645S3ST
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
FQP24N08
MOSFET N-CH 80V 24A TO220-3