Številka izdelka proizvajalca:
FDFMA3N109
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDFMA3N109-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Podroben opis:
N-Channel 30 V 2.9A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Zaloga:
12848317
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDFMA3N109 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.9A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
123mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
3 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
220 pF @ 15 V
Funkcija FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvajanje moči (maks.)
1.5W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
6-MicroFET (2x2)
Paket / Primer
6-VDFN Exposed Pad
Osnovna številka izdelka
FDFMA3
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
FDFMA3N109FSCT
FDFMA3N109DKR-DG
FDFMA3N109TR-DG
2832-FDFMA3N109TR
FDFMA3N109CT-DG
FDFMA3N109DKR
FDFMA3N109FSDKR
FDFMA3N109TR
FDFMA3N109CT
FDFMA3N109FSTR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
NTLJF4156NT1G
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
28406
ŠTEVILKA DELA
NTLJF4156NT1G-DG
CENA ENOTE
0.18
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDP150N10A
MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
IPI90N04S402AKSA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3
MTD6N20ET4G
MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
