Številka izdelka proizvajalca:
FDFME3N311ZT
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDFME3N311ZT-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
Podroben opis:
N-Channel 30 V 1.8A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6)
Zaloga:
12850488
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDFME3N311ZT Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.8A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
299mOhm @ 1.6A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
1.4 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
75 pF @ 15 V
Funkcija FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvajanje moči (maks.)
1.4W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
6-MicroFET (1.6x1.6)
Paket / Primer
6-UFDFN Exposed Pad
Osnovna številka izdelka
FDFME3
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
FDFME3N311ZT-DG
FDFME3N311ZTTR
FDFME3N311ZTCT
FDFME3N311ZTDKR
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
SSM6H19NU,LF
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
54777
ŠTEVILKA DELA
SSM6H19NU,LF-DG
CENA ENOTE
0.07
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
HUFA76409D3ST
MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
FDMC86102
MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
FDC5612
MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
