Številka izdelka proizvajalca:
FDFS2P102A
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDFS2P102A-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC
Podroben opis:
P-Channel 20 V 3.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Zaloga:
12839210
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDFS2P102A Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3.3A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
125mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
3 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
182 pF @ 10 V
Funkcija FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvajanje moči (maks.)
900mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOIC
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Osnovna številka izdelka
FDFS2
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
FDFS2P102A_NLCT
FDFS2P102A_NLTR
FDFS2P102ADKR
FDFS2P102ACT-NDR
FDFS2P102ACT
FDFS2P102A_NL
FDFS2P102ATR
FDFS2P102ATR-NDR
FDFS2P102A_NLTR-DG
FDFS2P102A_NLCT-DG
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
HUF76437S3S
MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK
FDS7296N3
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
HUFA75344G3
MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
