Številka izdelka proizvajalca:
FDG6301N
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDG6301N-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Podroben opis:
Mosfet Array 25V 220mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Zaloga:
69606 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12849485
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDG6301N Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
25V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
220mA
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4Ohm @ 220mA, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
0.4nC @ 4.5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
9.5pF @ 10V
Moč - največja
300mW
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket naprav dobavitelja
SC-88 (SC-70-6)
Osnovna številka izdelka
FDG6301
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
FDG6301NCT
2832-FDG6301NTR
FDG6301NDKR
FDG6301NTR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
AO4801AL
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
AO4840E
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
ECH8668-TL-H
MOSFET N/P-CH 20V 7.5A/5A 8ECH
