FDI2532
Številka izdelka proizvajalca:

FDI2532

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDI2532-DG

Opis:

MOSFET N-CH 150V 8A/79A I2PAK
Podroben opis:
N-Channel 150 V 8A (Ta), 79A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Zaloga:

12836349
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FDI2532 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
150 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8A (Ta), 79A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
16mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5870 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
310W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-262 (I2PAK)
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
FDI2532

Tehnični list in dokumenti

HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
onsemi

FCU4300N80Z

MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK

onsemi

FQP6P25

MOSFET P-CH 250V 6A TO220-3

onsemi

HUF76429S3S

MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK

onsemi

CPH3355-TL-H

MOSFET P-CH 30V 2.5A 3CPH