FDMA86108LZ

Številka izdelka proizvajalca:

FDMA86108LZ

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDMA86108LZ-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET

Podroben opis:

N-Channel 100 V 2.2A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu

12846923

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

FDMA86108LZ Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

onsemi

Pakiranje

Tape & Reel (TR)

Serije

PowerTrench®

Stanje izdelka

Active

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

100 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

2.2A (Ta)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

4.5V, 10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

243mOhm @ 2.2A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

3V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

3 nC @ 10 V

Vgs (maks)

±20V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

163 pF @ 50 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

2.4W (Ta)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

6-MicroFET (2x2)

Paket / Primer

6-WDFN Exposed Pad

Osnovna številka izdelka

FDMA86108

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena

FDMA86108LZDKR

FDMA86108LZCT

FDMA86108LZTR

Standardni paket

3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

onsemi

FDP8D5N10C

MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3

onsemi

FQP47P06_SW82049

MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3

onsemi

HUFA76409P3

MOSFET N-CH 60V 18A TO220-3

onsemi

FCPF11N65

MOSFET N-CH 650V 11A TO220F