Številka izdelka proizvajalca:
FDMB2307NZ
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDMB2307NZ-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 6MLP
Podroben opis:
Mosfet Array 800mW Surface Mount 6-MLP (2x3)
Zaloga:
8965 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12848651
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDMB2307NZ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Last Time Buy
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
-
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
-
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
-
vgs(th) (maks) @ id
-
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
28nC @ 5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
-
Moč - največja
800mW
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
6-WDFN Exposed Pad
Paket naprav dobavitelja
6-MLP (2x3)
Osnovna številka izdelka
FDMB2307
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
FDMB2307NZFSTR
FDMB2307NZFSCT
2156-FDMB2307NZ-OS
FDMB2307NZFSDKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
AON5810
MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN
FDS8958B
MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8SOIC
FW276-TL-2H
MOSFET 2N-CH 450V 0.7A 8SOIC
