Številka izdelka proizvajalca:

FDMC8622

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDMC8622-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP

Podroben opis:

N-Channel 100 V 4A (Ta), 16A (Tc) 2.5W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

Zaloga:

22652 Kosi Nova Originalna Na Zalogi

12850593

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

FDMC8622 Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

onsemi

Pakiranje

Tape & Reel (TR)

Serije

PowerTrench®

Stanje izdelka

Active

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

100 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

4A (Ta), 16A (Tc)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

6V, 10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

56mOhm @ 4A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

4V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

7.3 nC @ 10 V

Vgs (maks)

±20V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

402 pF @ 50 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

2.5W (Ta), 31W (Tc)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

8-MLP (3.3x3.3)

Paket / Primer

8-PowerWDFN

Osnovna številka izdelka

FDMC86

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena

FDMC8622DKR

FDMC8622-DG

FDMC8622CT

FDMC8622TR

Standardni paket

3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

onsemi

FDU3706

MOSFET N-CH 20V 14.7A/50A IPAK

rohm-semi

R6006JND3TL1

MOSFET N-CH 600V 6A TO252

onsemi

FDN361BN

MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3

rohm-semi

R6006KND3TL1

MOSFET N-CH 600V 6A TO252