Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
FDMD82100
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDMD82100-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER
Podroben opis:
Mosfet Array 100V 7A 1W Surface Mount 12-Power3.3x5
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12839650
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
f
M
5
S
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDMD82100 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual)
Funkcija FET
-
Odtok do napetosti vira (vdss)
100V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
7A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
19mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
17nC @ 10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1070pF @ 50V
Moč - največja
1W
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
12-PowerWDFN
Paket naprav dobavitelja
12-Power3.3x5
Osnovna številka izdelka
FDMD82
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
FDMD82100
HTML tehnični list
FDMD82100-DG
Tehnični listi
FDMD82100
Dodatne informacije
Druga imena
FDMD82100DKR
ONSONSFDMD82100
2156-FDMD82100-OS
FDMD82100TR
FDMD82100CT
2832-FDMD82100TR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
FDS89161
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
22674
ŠTEVILKA DELA
FDS89161-DG
CENA ENOTE
0.60
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDG1024NZ
MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC88
FDS8947A
MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC
FDPC3D5N025X9D
MOSFET 2N-CH 25V 74A 12QFN
FDR8308P
MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SUPERSOT-8