Številka izdelka proizvajalca:
FDMS10C4D2N
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDMS10C4D2N-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
Podroben opis:
N-Channel 100 V 17A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Zaloga:
2995 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12835644
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDMS10C4D2N Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
17A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4500 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
125W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-PQFN (5x6)
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
FDMS10
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
FDMS10C4D2NOSDKR
FDMS10C4D2NOSCT
FDMS10C4D2NOSTR
FDMS10C4D2N-DG
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
AONS66916
PROIZVAJALEC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
2982
ŠTEVILKA DELA
AONS66916-DG
CENA ENOTE
1.52
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
HUF76645P3
MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
2SK4043LS
MOSFET N-CH 30V 20A TO220FI
HUFA75329S3ST
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
