Številka izdelka proizvajalca:
FDMS1D4N03S
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDMS1D4N03S-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
Podroben opis:
N-Channel 30 V 211A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Zaloga:
12846493
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDMS1D4N03S Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serije
PowerTrench®, SyncFET™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
211A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.09mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
65 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
10250 pF @ 15 V
Funkcija FET
Schottky Diode (Body)
Odvajanje moči (maks.)
74W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-PQFN (5x6)
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
FDMS1D4
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
FDMS1D4N03SCT
FDMS1D4N03SDKR
2156-FDMS1D4N03STR
2832-FDMS1D4N03STR
FDMS1D4N03STR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
CSD17559Q5
PROIZVAJALEC
Texas Instruments
KOLIČINA NA VOLJO
1524
ŠTEVILKA DELA
CSD17559Q5-DG
CENA ENOTE
1.04
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
AOB411L
MOSFET P-CH 60V 8A/78A TO263
BMS4007
MOSFET N-CH 75V 60A TO220ML
FQPF12N60C
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
