FDMS8018

Številka izdelka proizvajalca:

FDMS8018

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDMS8018-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN

Podroben opis:

N-Channel 30 V 30A (Ta), 120A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Zaloga:

45569 Kosi Nova Originalna Na Zalogi

12838791

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

FDMS8018 Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

onsemi

Pakiranje

Tape & Reel (TR)

Serije

PowerTrench®

Stanje izdelka

Active

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

30 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

30A (Ta), 120A (Tc)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

4.5V, 10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

1.8mOhm @ 30A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

3V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

61 nC @ 10 V

Vgs (maks)

±20V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

5235 pF @ 15 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

2.5W (Ta), 83W (Tc)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

8-PQFN (5x6)

Paket / Primer

8-PowerTDFN

Osnovna številka izdelka

FDMS80

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena

FDMS8018-DG

FDMS8018CT

FDMS8018TR

FDMS8018DKR

Standardni paket

3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

onsemi

FCH25N60N

MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3

onsemi

FDMC8010

MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33

onsemi

FQL40N50F

MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3

onsemi

FQU7P06TU

MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK