FDMS86105
Številka izdelka proizvajalca:

FDMS86105

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDMS86105-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN
Podroben opis:
N-Channel 100 V 6A (Ta), 26A (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Zaloga:

23647 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12846321
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FDMS86105 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6A (Ta), 26A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
34mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
645 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta), 48W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-PQFN (5x6)
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
FDMS86

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
FDMS86105DKR
2156-FDMS86105-OS
FDMS86105CT
FDMS86105-DG
FDMS86105TR
ONSONSFDMS86105
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
alpha-and-omega-semiconductor

AOWF11C60

MOSFET N-CH 600V 11A TO262F

alpha-and-omega-semiconductor

AOI2614

MOSFET N-CH 60V 13A/35A TO251A

alpha-and-omega-semiconductor

AO3421L

MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3L

alpha-and-omega-semiconductor

AOD4136

MOSFET N-CH 25V 25A TO252