FDMS86181
Številka izdelka proizvajalca:

FDMS86181

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDMS86181-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFN
Podroben opis:
N-Channel 100 V 44A (Ta), 124A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Zaloga:

5232 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12923400
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FDMS86181 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
44A (Ta), 124A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4125 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta), 125W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-PQFN (5x6)
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
FDMS86

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
2832-FDMS86181TR
ONSONSFDMS86181
FDMS86181DKR
FDMS86181TR
FDMS86181CT
2156-FDMS86181-OS
FDMS86181-DG
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
microsemi

JANTXV2N6796

MOSFET N-CH 100V 8A TO205AF

onsemi

FQP3N30

MOSFET N-CH 300V 3.2A TO220-3

microsemi

JANTXV2N7228

MOSFET N-CH 500V 12A TO254AA

microsemi

JAN2N6798

MOSFET N-CH 200V 5.5A TO39