Številka izdelka proizvajalca:
FDMS86200
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDMS86200-DG
Opis:
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Podroben opis:
N-Channel 150 V 9.6A (Ta), 35A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Zaloga:
21294 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12847284
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDMS86200 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
150 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9.6A (Ta), 35A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
18mOhm @ 9.6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2715 pF @ 75 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-PQFN (5x6)
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
FDMS86
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
2156-FDMS86200-488
FDMS86200DKR
2832-FDMS86200-488
FDMS86200TR
FDMS86200CT
2832-FDMS86200TR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
NVMFS5A140PLZWFT1G
MOSFET P-CH 40V 20A/140A 5DFN
FDC655BN
MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
FDD18N20LZ
MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
