Številka izdelka proizvajalca:
FDMS86202ET120
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDMS86202ET120-DG
Opis:
MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56
Podroben opis:
N-Channel 120 V 13.5A (Ta), 102A (Tc) 3.3W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Zaloga:
12840057
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDMS86202ET120 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
120 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
13.5A (Ta), 102A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
7.2mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4585 pF @ 60 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.3W (Ta), 187W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-PQFN (5x6)
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
FDMS86202
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
FDMS86202ET120TR
FDMS86202ET120CT
FDMS86202ET120DKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FQA36P15
MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN
PCFG40N120ANF
MOSFET N-CH
FQPF5N50CFTU
MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
