FDMS8622

Številka izdelka proizvajalca:

FDMS8622

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDMS8622-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN

Podroben opis:

N-Channel 100 V 4.8A (Ta), 16.5A (Tc) 2.5W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Zaloga:

10600 Kosi Nova Originalna Na Zalogi

12839486

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

FDMS8622 Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

onsemi

Pakiranje

Tape & Reel (TR)

Serije

PowerTrench®

Stanje izdelka

Active

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

100 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

4.8A (Ta), 16.5A (Tc)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

6V, 10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

56mOhm @ 4.8A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

4V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

7 nC @ 10 V

Vgs (maks)

±20V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

400 pF @ 50 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

2.5W (Ta), 31W (Tc)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

8-PQFN (5x6)

Paket / Primer

8-PowerTDFN

Osnovna številka izdelka

FDMS86

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena

FDMS8622TR

FDMS8622CT

FDMS8622DKR

FDMS8622-DG

Standardni paket

3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

onsemi

NTD70N03RG

MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK

onsemi

FDP2614

MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3

onsemi

NVF3055-100T1G

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

onsemi

HUFA75339P3

MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3