Številka izdelka proizvajalca:
FDMT80080DC
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDMT80080DC-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL
Podroben opis:
N-Channel 80 V 36A (Ta), 254A (Tc) 3.2W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-Dual Cool™88
Zaloga:
6688 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12839668
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDMT80080DC Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
Dual Cool™, PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
80 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
36A (Ta), 254A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
8V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.35mOhm @ 36A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
273 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
20720 pF @ 40 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.2W (Ta), 156W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-Dual Cool™88
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
FDMT80080
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
FDMT80080DCDKR
FDMT80080DCCT
FDMT80080DCTR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FQU2N50BTU-WS
MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
FDS86140
MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
FDB9406-F085
MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
