FDN338P
Številka izdelka proizvajalca:

FDN338P

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDN338P-DG

Opis:

MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Podroben opis:
P-Channel 20 V 1.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Zaloga:

3018 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12847366
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FDN338P Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.6A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
115mOhm @ 1.6A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
451 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
500mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-23-3
Paket / Primer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Osnovna številka izdelka
FDN338

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
FDN338P
HTML tehnični list
FDN338P-DG
Tehnični listi
FDN338P

Dodatne informacije

Druga imena
FDN338PCT
FDN338PTR
FDN338PCT-NDR
FDN338PDKR
FDN338PTR-NDR
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
onsemi

FDS4435A

MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

onsemi

FDMA905P_F130

MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET

onsemi

FQAF33N10

MOSFET N-CH 100V 25.8A TO3PF

onsemi

FCMT125N65S3

MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN