FDN359AN

Številka izdelka proizvajalca:

FDN359AN

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDN359AN-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3

Podroben opis:

N-Channel 30 V 2.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Zaloga:

34550 Kosi Nova Originalna Na Zalogi

12848120

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

FDN359AN Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

onsemi

Pakiranje

Tape & Reel (TR)

Serije

PowerTrench®

Stanje izdelka

Active

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

30 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

2.7A (Ta)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

4.5V, 10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

46mOhm @ 2.7A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

3V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

7 nC @ 5 V

Vgs (maks)

±20V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

480 pF @ 10 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

500mW (Ta)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

SOT-23-3

Paket / Primer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Osnovna številka izdelka

FDN359

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena

FDN359ANDKR

ONSONSFDN359AN

FDN359AN_F095

FDN359ANCT

FDN359ANTR

2156-FDN359AN-OS

Standardni paket

3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

onsemi

FDMS8670S

MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFN

onsemi

FDD6630A

MOSFET N-CH 30V 21A TO252

onsemi

NTB45N06LT4

MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK

onsemi

NTMFS5C682NLT1G

MOSFET N-CH 60V 25A 5DFN