FDN359AN
Številka izdelka proizvajalca:

FDN359AN

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDN359AN-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Podroben opis:
N-Channel 30 V 2.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Zaloga:

34550 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12848120
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FDN359AN Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.7A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
46mOhm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
7 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
480 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
500mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-23-3
Paket / Primer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Osnovna številka izdelka
FDN359

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
FDN359ANDKR
ONSONSFDN359AN
FDN359AN_F095
FDN359ANCT
FDN359ANTR
2156-FDN359AN-OS
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
onsemi

FDMS8670S

MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFN

onsemi

FDD6630A

MOSFET N-CH 30V 21A TO252

onsemi

NTB45N06LT4

MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK

onsemi

NTMFS5C682NLT1G

MOSFET N-CH 60V 25A 5DFN