Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
FDN359BN
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDN359BN-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Podroben opis:
N-Channel 30 V 2.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Zaloga:
129702 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12924765
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDN359BN Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.7A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
46mOhm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
7 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
650 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
500mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-23-3
Paket / Primer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Osnovna številka izdelka
FDN359
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
FDN359BN
HTML tehnični list
FDN359BN-DG
Tehnični listi
FDN359BN
Dodatne informacije
Druga imena
FDN359BN_F095
FDN359BNOSDKR
FDN359BNFSCTINACTIVE
FDN359BN_F095DKR
FDN359BN-DG
FDN359BNFSTR-DG
FDN359BNDKR
FDN359BN_F095DKR-DG
FDN359BNFSDKR
FDN359BNFSCT
FDN359BN_F095TR-DG
FDN359BN_F095CT-DG
FDN359BNFSTRINACTIVE
FDN359BNF095
FDN359BNFSTR
FDN359BNFSDKR-DG
FDN359BNCT
FDN359BNFSCT-DG
FDN359BN_F095CT
FDN359BNTR-DG
FDN359BNOSCT
FDN359BNCT-DG
FDN359BNOSTR
FDN359BNDKR-DG
FDN359BNFSDKRINACTIVE
FDN359BNTR
FDN359BN_F095TR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
JANTX2N6802
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO205AF
2SJ067400L
MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI3
JANTXV2N6784
MOSFET N-CH 200V 2.25A TO205AF
FQD2N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK