FDN5618P

Številka izdelka proizvajalca:

FDN5618P

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDN5618P-DG

Opis:

MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3

Podroben opis:

P-Channel 60 V 1.25A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Zaloga:

31131 Kosi Nova Originalna Na Zalogi

12846740

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

FDN5618P Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

onsemi

Pakiranje

Tape & Reel (TR)

Serije

PowerTrench®

Stanje izdelka

Active

Vrsta FET

P-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

60 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

1.25A (Ta)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

4.5V, 10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

170mOhm @ 1.25A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

3V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

13.8 nC @ 10 V

Vgs (maks)

±20V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

430 pF @ 30 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

500mW (Ta)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

SOT-23-3

Paket / Primer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Osnovna številka izdelka

FDN5618

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena

FDN5618PCT

2832-FDN5618PTR

FDN5618PDKR

FDN5618PTR

Standardni paket

3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

onsemi

FDMS86255

MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56

infineon-technologies

IPA80R600P7XKSA1

MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220

onsemi

FQD8P10TM_SB82052

MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

onsemi

FDMC86183

MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN