FDN8601
Številka izdelka proizvajalca:

FDN8601

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDN8601-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
Podroben opis:
N-Channel 100 V 2.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Zaloga:

20024 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12838623
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FDN8601 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.7A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
109mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
210 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.5W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-23-3
Paket / Primer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Osnovna številka izdelka
FDN860

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
FDN8601
HTML tehnični list
FDN8601-DG
Tehnični listi
FDN8601

Dodatne informacije

Druga imena
FDN8601DKR
ONSONSFDN8601
FDN8601TR
FDN8601-DG
2156-FDN8601-OS
2832-FDN8601TR
FDN8601CT
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
onsemi

FQU1N60TU

MOSFET N-CH 600V 1A IPAK

onsemi

FDS4480

MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC

infineon-technologies

BSS84PL6327HTSA1

MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3

onsemi

FQU11P06TU

MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK