FDP036N10A
Številka izdelka proizvajalca:

FDP036N10A

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDP036N10A-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 333W (Tc) Through Hole TO-220-3

Zaloga:

379 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12847170
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FDP036N10A Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tube
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
120A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.6mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
116 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
7295 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
333W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
FDP036

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
2832-FDP036N10A
Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
onsemi

CPH6350-P-TL-E

MOSFET P-CH 30V 6A CPH6

onsemi

NTD110N02R-001G

MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A IPAK

onsemi

FQD3N50CTM

MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

onsemi

IRFM210BTF_FP001

MOSFET N-CH 200V 770MA SOT223-4