Številka izdelka proizvajalca:
FDP053N08B-F102
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDP053N08B-F102-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 80 V 75A (Tc) 146W (Tc) Through Hole TO-220-3
Zaloga:
780 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12837454
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDP053N08B-F102 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tube
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
80 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
75A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
5.3mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5960 pF @ 40 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
146W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
FDP053
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
FDP053N08B_F102
FDP053N08B_F102-DG
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
2SK3816-DL-1EX
MOSFET N-CH
FCP4N60
MOSFET N-CH 600V 3.9A TO220-3
FQD630TM
MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
