Številka izdelka proizvajalca:
FDP090N10
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDP090N10-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
Zaloga:
12259 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12847779
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDP090N10 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tube
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
75A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
9mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
116 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
8225 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
208W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
FDP090
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FQP5N30
MOSFET N-CH 300V 5.4A TO220-3
FDWS9511L-F085
MOSFET P-CH 40V 30A 8DFN
NDD05N50ZT4G
MOSFET N-CH 500V 4.7A DPAK
