FDP22N50N
Številka izdelka proizvajalca:

FDP22N50N

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDP22N50N-DG

Opis:

MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 500 V 22A (Tc) 312.5W (Tc) Through Hole TO-220-3

Zaloga:

987 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12838372
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FDP22N50N Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tube
Serije
UniFET™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
22A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
220mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3200 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
312.5W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
FDP22

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
FDP22N50N
HTML tehnični list
FDP22N50N-DG
Tehnični listi
FDP22N50N

Dodatne informacije

Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
onsemi

FQB11N40CTM

MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK

onsemi

FDB2532-F085

MOSFET N-CH 150V 79A TO263AB

onsemi

FDMS3016DC

MOSFET N-CH 30V 18A/49A DLCOOL56

onsemi

FCP16N60N

MOSFET N-CH 600V 16A TO220-3