FDP2532
Številka izdelka proizvajalca:

FDP2532

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDP2532-DG

Opis:

MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 150 V 8A (Ta), 79A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-220-3

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu
12847407
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FDP2532 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tube
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
150 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8A (Ta), 79A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
16mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5870 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
310W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
FDP25

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
FDB2532 Datasheet

Dodatne informacije

Druga imena
2156-FDP2532-OS
FAIFSCFDP2532
Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
onsemi

FDH50N50

MOSFET N-CH 500V 48A TO247-3

onsemi

FDN336P

MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3

onsemi

FQPF6P25

MOSFET P-CH 250V 4.2A TO220F

onsemi

FQU9N25TU

MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK