Številka izdelka proizvajalca:
FDP2570
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDP2570-DG
Opis:
MOSFET N-CH 150V 22A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 150 V 22A (Ta) 93W (Tc) Through Hole TO-220-3
Zaloga:
12849588
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDP2570 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
150 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
22A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
80mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1911 pF @ 75 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
93W (Tc)
Delovna temperatura
-65°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
FDP25
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Standardni paket
400
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IRFB4019PBF
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
743
ŠTEVILKA DELA
IRFB4019PBF-DG
CENA ENOTE
0.76
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDBL0150N60
MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF
FDS5690-NBBM009A
MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
AOD4N60
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
