FDR6580
Številka izdelka proizvajalca:

FDR6580

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDR6580-DG

Opis:

MOSFET N-CH 20V 11.2A SUPERSOT8
Podroben opis:
N-Channel 20 V 11.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8

Zaloga:

12838297
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FDR6580 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11.2A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
9mOhm @ 11.2A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
48 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3829 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.8W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SuperSOT™-8
Paket / Primer
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Osnovna številka izdelka
FDR65

Dodatne informacije

Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
onsemi

FDS6675A

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

onsemi

FDA032N08

MOSFET N-CH 75V 120A TO3PN

onsemi

FQB11P06TM

MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK

onsemi

FQAF10N80

MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF