Številka izdelka proizvajalca:
FDR844P
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDR844P-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8
Podroben opis:
P-Channel 20 V 10A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
Zaloga:
12847139
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDR844P Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.8V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
11mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
74 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4951 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.8W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SuperSOT™-8
Paket / Primer
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Osnovna številka izdelka
FDR84
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
NTJS3151PT2G
MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
AO4405L
MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
FDR858P
MOSFET P-CH 30V 8A SUPERSOT8
