Številka izdelka proizvajalca:
FDS3570
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDS3570-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC
Podroben opis:
N-Channel 80 V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Zaloga:
12846534
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDS3570 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
80 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
20mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2750 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOIC
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Osnovna številka izdelka
FDS35
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
FDS3572
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
6770
ŠTEVILKA DELA
FDS3572-DG
CENA ENOTE
0.63
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
AO4478
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
FDMS86201
MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN
FCPF250N65S3L1
MOSFET N-CH 650V 12A TO220F-3
