Številka izdelka proizvajalca:
FDS3890
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDS3890-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Podroben opis:
Mosfet Array 80V 4.7A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Zaloga:
12848943
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDS3890 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
80V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4.7A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
44mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
35nC @ 10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1180pF @ 40V
Moč - največja
900mW
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket naprav dobavitelja
8-SOIC
Osnovna številka izdelka
FDS38
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
FDS3890CT
FDS3890DKR
FDS3890-DG
FDS3890TR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IRF7380TRPBF
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
7278
ŠTEVILKA DELA
IRF7380TRPBF-DG
CENA ENOTE
0.39
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
DMN6040SSD-13
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
12745
ŠTEVILKA DELA
DMN6040SSD-13-DG
CENA ENOTE
0.15
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
NVMFD5873NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
AO4862E
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
NDS9945
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
