Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
FDS4897AC
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDS4897AC-DG
Opis:
MOSFET N/P-CH 40V 6.1A 8SOIC
Podroben opis:
Mosfet Array 40V 6.1A, 5.2A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12838829
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDS4897AC Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
N and P-Channel
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
40V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6.1A, 5.2A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
26mOhm @ 6.1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
21nC @ 10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1055pF @ 20V
Moč - največja
900mW
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket naprav dobavitelja
8-SOIC
Osnovna številka izdelka
FDS4897
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
FDS4897AC
HTML tehnični list
FDS4897AC-DG
Tehnični listi
FDS4897AC
Dodatne informacije
Druga imena
FDS4897ACCT
FDS4897ACTR
FDS4897ACDKR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
TPC8408,LQ(S
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
3530
ŠTEVILKA DELA
TPC8408,LQ(S-DG
CENA ENOTE
0.17
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
DMC3028LSDX-13
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
2405
ŠTEVILKA DELA
DMC3028LSDX-13-DG
CENA ENOTE
0.19
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
DMC3028LSD-13
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
29399
ŠTEVILKA DELA
DMC3028LSD-13-DG
CENA ENOTE
0.15
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
EFC6601R-TR
MOSFET 2N-CH EFCP2718
FDW2507N
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP
ECH8660-S-TL-H
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A ECH8
FDS6984AS
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC