Številka izdelka proizvajalca:
FDS4935BZ
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDS4935BZ-DG
Opis:
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Podroben opis:
Mosfet Array 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Zaloga:
10800 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12837596
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDS4935BZ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 P-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
30V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6.9A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
22mOhm @ 6.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
40nC @ 10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1360pF @ 15V
Moč - največja
900mW
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket naprav dobavitelja
8-SOIC
Osnovna številka izdelka
FDS49
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
FDS4935BZDKR
2832-FDS4935BZTR
2156-FDS4935BZ-OS
FDS4935BZCT
FAIFSCFDS4935BZ
FDS4935BZTR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDW2507NZ
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP
FDS89161
MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
FDC6301N_G
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
