Številka izdelka proizvajalca:
FDS6162N7
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDS6162N7-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
Podroben opis:
N-Channel 20 V 23A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
Zaloga:
12849841
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDS6162N7 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
23A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 23A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
73 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5521 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SO FLMP
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Osnovna številka izdelka
FDS61
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
FDS6162N7CT
FDS6162N7TR-NDR
FDS6162N7TR
FDS6162N7DKR
FDS6162N7_NLTR
FDS6162N7_NLTR-DG
FDS6162N7_NLCT
FDS6162N7_NL
FDS6162N7_NLCT-DG
FDS6162N7CT-NDR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
