Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
FDS6162N7
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDS6162N7-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
Podroben opis:
N-Channel 20 V 23A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12849841
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDS6162N7 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
23A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 23A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
73 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5521 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SO FLMP
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Osnovna številka izdelka
FDS61
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
FDS6162N7-DG
Tehnični listi
FDS6162N7
Dodatne informacije
Druga imena
FDS6162N7CT
FDS6162N7TR-NDR
FDS6162N7TR
FDS6162N7DKR
FDS6162N7_NLTR
FDS6162N7_NLTR-DG
FDS6162N7_NLCT
FDS6162N7_NL
FDS6162N7_NLCT-DG
FDS6162N7CT-NDR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
AO4403L
MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
AON6260L
MOSFET N-CH 60V 8DFN
AOB11S60L
MOSFET N-CH 600V 11A TO263
FQP6N40C
MOSFET N-CH 400V 6A TO220-3